本公開(kāi)大體上涉及一種存儲(chǔ)器裝置,且更明確地說(shuō),涉及一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dynamic?random-access?memory;dram)裝置。
背景技術(shù):
1、一般來(lái)說(shuō),動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)裝置包括存儲(chǔ)器芯片。所有存儲(chǔ)器芯片需要至少一個(gè)參考電壓以確定所接收的信號(hào)或所接收的數(shù)據(jù)。應(yīng)注意,所有存儲(chǔ)器芯片需要dc電流以提供至少一個(gè)參考電壓。因此,具有存儲(chǔ)器芯片的dram裝置具有高功率消耗。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本公開(kāi)提供一種具有低功率消耗的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)裝置。
2、本公開(kāi)的dram裝置包括多個(gè)從屬dram芯片以及主dram芯片。多個(gè)從屬dram芯片中的每一個(gè)包括從屬熔絲電路以及從屬參考電壓產(chǎn)生器。從屬熔絲電路根據(jù)從屬熔絲電路的從屬熔絲設(shè)置操作提供從屬設(shè)置信號(hào)。從屬參考電壓產(chǎn)生器根據(jù)從屬設(shè)置信號(hào)提供從屬參考電壓。主dram芯片耦接到多個(gè)從屬dram芯片。主dram芯片控制多個(gè)從屬dram芯片的操作。
3、基于上文,從屬dram芯片中的每一個(gè)根據(jù)從屬熔絲設(shè)置操作提供從屬參考電壓。以此方式,dram裝置的功率消耗能夠被減少。
4、為了使前述內(nèi)容更容易理解,如下詳細(xì)描述伴有附圖的若干實(shí)施例。
1.一種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置,包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置,其中當(dāng)所述從屬熔絲電路不執(zhí)行所述從屬熔絲設(shè)置操作時(shí),所述從屬參考電壓產(chǎn)生器提供所述從屬參考電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置,其中當(dāng)所述從屬熔絲電路完成所述從屬熔絲設(shè)置操作時(shí),所述從屬參考電壓產(chǎn)生器停止提供所述從屬參考電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置,其中所述從屬參考電壓產(chǎn)生器包括:
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置,其中:
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置,其中所述主動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片包括:
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置,其中當(dāng)所述主熔絲電路不執(zhí)行所述主熔絲設(shè)置操作時(shí),所述主參考電壓產(chǎn)生器提供所述主參考電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置,其中當(dāng)所述主熔絲電路完成所述主熔絲設(shè)置操作時(shí),所述主參考電壓產(chǎn)生器停止提供所述主參考電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置,其中所述主參考電壓以及所述從屬參考電壓中的每一個(gè)為用于確定所接收數(shù)據(jù)的邏輯電平的參考電壓。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置,其中所述主參考電壓產(chǎn)生器包括:
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置,其中:
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器裝置,其中所述多個(gè)從屬動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片以及所述主動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片彼此堆疊。