本發(fā)明涉及波導(dǎo)，特別是涉及一種可自動進(jìn)行模式優(yōu)化的過模皺紋波導(dǎo)。

背景技術(shù)：

1、毫米波傳輸技術(shù)廣泛應(yīng)用于核聚變等離子體加熱、動態(tài)核極化核磁共振實驗和地球物理勘探等領(lǐng)域。目前對于毫米波的傳輸主要采用過模波導(dǎo)，由于過模波導(dǎo)的內(nèi)壁是光滑的，在傳輸多種模式的毫米波、波導(dǎo)轉(zhuǎn)向以及安裝誤差等因素的影響下，很容易激勵起各種雜模，且雜模的抑制較為困難，造成毫米波的傳輸損耗較大。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的是提供一種可自動進(jìn)行模式優(yōu)化的過模皺紋波導(dǎo)，以減少雜模的產(chǎn)生，實現(xiàn)毫米波的低損耗傳輸。

2、為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種可自動進(jìn)行模式優(yōu)化的過模皺紋波導(dǎo)，包括：

3、外管；

4、內(nèi)管，間隔設(shè)于所述外管內(nèi)，所述內(nèi)管的內(nèi)壁設(shè)置有多個環(huán)槽，多個所述環(huán)槽沿軸向間隔分布；以及

5、變形體，設(shè)于所述外管和所述內(nèi)管之間，多個所述變形體沿軸向間隔分布，所述變形體包括多個繞所述外管的軸向設(shè)置的記憶合金單體，所述記憶合金單體包括連接部和兩個變形部，所述連接部固定于所述外管的內(nèi)壁，兩個所述變形部的第一端通過所述連接部相互連接，兩個所述變形部的第二端抵接于所述內(nèi)管的外壁；

6、其中，當(dāng)所述記憶合金單體受熱時，兩個所述變形部的第二端相互靠攏，使所述記憶合金單體沿徑向的長度變長，導(dǎo)致所述內(nèi)管產(chǎn)生徑向向內(nèi)位移；當(dāng)所述記憶合金單體的溫度降低時，兩個所述變形部的第二端相互分離，使所述記憶合金單體沿徑向的長度變短，導(dǎo)致所述內(nèi)管產(chǎn)生徑向向外位移。

7、在一些實施例中，所述外管的管壁具有水冷流道，所述水冷流道具有進(jìn)水口和出水口。

8、在一些實施例中，所述記憶合金單體采用鎳鈦基形狀記憶合金、銅基形狀記憶合金或鐵基形狀記憶合金。

9、在一些實施例中，所述記憶合金單體表面具有鍍鎳層。

10、在一些實施例中，所述連接部與所述變形部一體成型。

11、在一些實施例中，所述連接部沿徑向弧形凸起設(shè)置。

12、在一些實施例中，所述變形部的第二端具有延伸部，兩個所述變形部的延伸部相互遠(yuǎn)離，所述延伸部抵接于所述內(nèi)管的外壁，所述延伸部靠近所述內(nèi)管的表面呈弧形設(shè)置。

13、在一些實施例中，所述環(huán)槽沿軸向剖面呈矩形或正弦形。

14、在一些實施例中，所述內(nèi)管設(shè)有多個，相鄰兩個所述內(nèi)管之間具有間隙，所述間隙內(nèi)填充有墊片。

15、在一些實施例中，所述外管采用鋁合金制成，所述內(nèi)管采用鋁合金或無氧銅制成。

16、本發(fā)明提供一種可自動進(jìn)行模式優(yōu)化的過模皺紋波導(dǎo)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，其有益效果在于：

17、內(nèi)管間隔設(shè)于所述外管內(nèi)，所述內(nèi)管的內(nèi)壁設(shè)置有多個環(huán)槽，多個所述環(huán)槽沿軸向間隔分布，變形體設(shè)于所述外管和所述內(nèi)管之間，多個所述變形體沿軸向間隔分布，所述變形體包括多個繞所述外管的軸向設(shè)置的記憶合金單體，所述記憶合金單體包括連接部和兩個變形部，所述連接部固定于所述外管的內(nèi)壁，兩個所述變形部的第一端通過所述連接部相互連接，兩個所述變形部的第二端抵接于所述內(nèi)管的外壁，如此，當(dāng)所述記憶合金單體受熱時，兩個所述變形部的第二端相互靠攏，使所述記憶合金單體沿徑向的長度變長，導(dǎo)致所述內(nèi)管產(chǎn)生徑向向內(nèi)位移；當(dāng)所述記憶合金單體的溫度降低時，兩個所述變形部的第二端相互分離，使所述記憶合金單體沿徑向的長度變短，導(dǎo)致所述內(nèi)管產(chǎn)生徑向向外位移，而內(nèi)管的徑向位移反過來影響波導(dǎo)內(nèi)傳輸?shù)暮撩撞ǖ哪Ｊ教匦?，通過上述位移主動抑制除he11以外的其他雜模，實現(xiàn)主動校正和自動模式優(yōu)化，實現(xiàn)毫米波的低損耗傳輸。

技術(shù)特征：

1.一種可自動進(jìn)行模式優(yōu)化的過模皺紋波導(dǎo)，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可自動進(jìn)行模式優(yōu)化的過模皺紋波導(dǎo)，其特征在于，所述外管的管壁具有水冷流道，所述水冷流道具有進(jìn)水口和出水口。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可自動進(jìn)行模式優(yōu)化的過模皺紋波導(dǎo)，其特征在于，所述記憶合金單體采用鎳鈦基形狀記憶合金、銅基形狀記憶合金或鐵基形狀記憶合金。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可自動進(jìn)行模式優(yōu)化的過模皺紋波導(dǎo)，其特征在于，所述記憶合金單體表面具有鍍鎳層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可自動進(jìn)行模式優(yōu)化的過模皺紋波導(dǎo)，其特征在于，所述連接部與所述變形部一體成型。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可自動進(jìn)行模式優(yōu)化的過模皺紋波導(dǎo)，其特征在于，所述連接部沿徑向弧形凸起設(shè)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可自動進(jìn)行模式優(yōu)化的過模皺紋波導(dǎo)，其特征在于，所述變形部的第二端具有延伸部，兩個所述變形部的延伸部相互遠(yuǎn)離，所述延伸部抵接于所述內(nèi)管的外壁，所述延伸部靠近所述內(nèi)管的表面呈弧形設(shè)置。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可自動進(jìn)行模式優(yōu)化的過模皺紋波導(dǎo)，其特征在于，所述環(huán)槽沿軸向剖面呈矩形或正弦形。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可自動進(jìn)行模式優(yōu)化的過模皺紋波導(dǎo)，其特征在于，所述內(nèi)管設(shè)有多個，相鄰兩個所述內(nèi)管之間具有間隙，所述間隙內(nèi)填充有墊片。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-9任一項所述的可自動進(jìn)行模式優(yōu)化的過模皺紋波導(dǎo)，其特征在于，所述外管采用鋁合金制成，所述內(nèi)管采用鋁合金或無氧銅制成。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及波導(dǎo)技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種可自動進(jìn)行模式優(yōu)化的過模皺紋波導(dǎo)，包括：外管；內(nèi)管，間隔設(shè)于外管內(nèi)，內(nèi)管的內(nèi)壁設(shè)置有多個環(huán)槽，多個環(huán)槽沿軸向間隔分布；以及變形體，設(shè)于外管和內(nèi)管之間，多個變形體沿軸向間隔分布，變形體包括多個繞所述外管的軸向設(shè)置的記憶合金單體，記憶合金單體包括連接部和兩個變形部，連接部固定于外管的內(nèi)壁，兩個變形部的第一端通過連接部相互連接，兩個變形部的第二端抵接于內(nèi)管的外壁；其中，當(dāng)記憶合金單體受熱時，兩個變形部的第二端相互靠攏，使記憶合金單體沿徑向的長度變長，導(dǎo)致內(nèi)管產(chǎn)生徑向位移。本發(fā)明的一種可自動進(jìn)行模式優(yōu)化的過模皺紋波導(dǎo)，減少雜模的產(chǎn)生，實現(xiàn)毫米波的低損耗傳輸。

技術(shù)研發(fā)人員：徐偉業(yè),徐旵東,張濤,吳大俊,張立元,何武松,王健,侯永忠
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/9/4