本發(fā)明涉及x射線生成裝置和x射線成像裝置。

背景技術(shù)：

1、ptl?1描述了x射線生成裝置，該x射線生成裝置包括x射線生成管、驅(qū)動(dòng)x射線生成管的管驅(qū)動(dòng)電路、以及容納x射線生成管和管驅(qū)動(dòng)電路的容納容器。容納容器填充有絕緣液體，并且絕緣液體確保x射線生成管與管驅(qū)動(dòng)電路之間的絕緣性能。

2、引文列表

3、專利文獻(xiàn)

4、ptl?1:日本專利特開no.2016-103451

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、當(dāng)x射線生成裝置被長(zhǎng)時(shí)段使用時(shí)，在x射線生成管中有時(shí)發(fā)生異常放電。本發(fā)明人的研究已發(fā)現(xiàn)，異常放電經(jīng)由絕緣管的外表面在x射線生成管的陰極與陽極之間發(fā)生。異常放電會(huì)使x射線生成裝置停止或出現(xiàn)故障。

2、本發(fā)明的一個(gè)方面提供了在抑制x射線生成裝置中的異常放電的發(fā)生上有利的技術(shù)。

3、本發(fā)明的第一方面針對(duì)一種x射線生成裝置，并且所述x射線生成裝置包括：x射線生成管，所述x射線生成管包括絕緣管、陰極、以及陽極，所述絕緣管具有第一開口端和第二開口端，所述陰極被布置為封閉所述絕緣管的所述第一開口端并且包括電子發(fā)射部分，所述陽極被布置為封閉所述第二開口端并且包括靶(target)，所述靶在來自所述電子發(fā)射部分的電子碰撞時(shí)生成x射線；以及容納容器，所述容納容器被配置為容納所述x射線生成管，其中所述容納容器具有第三開口端，并且所述x射線生成管被布置為封閉所述第三開口端，所述容納容器填充有絕緣液體使得所述絕緣液體接觸所述絕緣管的一部分，第一構(gòu)件接觸所述絕緣管的外表面的至少一部分，所述第一構(gòu)件與所述第二開口端間隔開布置，并且所述第一構(gòu)件被夾在所述絕緣管與第二構(gòu)件之間，所述第二構(gòu)件與所述容納容器間隔開布置。

4、本發(fā)明的第二方面針對(duì)一種x射線成像裝置，并且所述x射線成像裝置包括：如第一方面限定的x射線生成裝置；以及x射線檢測(cè)器，所述x射線檢測(cè)器被配置為檢測(cè)從所述x射線生成裝置發(fā)射的x射線。

技術(shù)特征：

1.一種x射線生成裝置，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的x射線生成裝置，其中

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的x射線生成裝置，其中

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的x射線生成裝置，其中

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的x射線生成裝置，其中

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項(xiàng)所述的x射線生成裝置，其中

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的x射線生成裝置，其中

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項(xiàng)所述的x射線生成裝置，其中

9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項(xiàng)所述的x射線生成裝置，其中

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中的任一項(xiàng)所述的x射線生成裝置，其中

11.根據(jù)權(quán)利要求1至9中的任一項(xiàng)所述的x射線生成裝置，其中

12.一種x射線成像裝置，包括：

技術(shù)總結(jié)
X射線生成裝置包括：X射線生成管，所述X射線生成管包括具有第一開口端和第二開口端的絕緣管、被布置為封閉所述絕緣管的所述第一開口端并且包括電子發(fā)射部分的陰極、以及被布置為封閉所述第二開口端并且包括在來自所述電子發(fā)射部分的電子碰撞時(shí)生成X射線的靶的陽極；以及容納容器，所述容納容器被配置為容納所述X射線生成管，其中所述容納容器具有第三開口端，并且所述X射線生成管被布置為封閉所述第三開口端，所述容納容器填充有絕緣液體使得所述絕緣液體接觸所述絕緣管的一部分，與所述第二開口端間隔開布置的第一構(gòu)件接觸所述絕緣管的外表面的至少一部分，并且所述第一構(gòu)件被夾在所述絕緣管和與所述容納容器間隔開布置的第二構(gòu)件之間。

技術(shù)研發(fā)人員：山田直樹,佐藤晃央,冢本健夫
受保護(hù)的技術(shù)使用者：佳能安內(nèi)華股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/9/14