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本發(fā)明涉及運算器，特別涉及一種高溫鐵電數(shù)字存算基礎單元及乘法器運用。、隨著?ai?技術的迅猛發(fā)展，石油、航空航天、化工、核電站等領域?qū)Ω邷丨h(huán)境下的計算能力提出了全新需求。在這些場景中，不僅需要在高溫環(huán)境下執(zhí)行神經(jīng)網(wǎng)絡推理任務，還要在高溫工業(yè)設備中實現(xiàn)實時數(shù)據(jù)處理與決策，以及滿足航空航天、深...

本發(fā)明屬于ddr加固，特別涉及一種基于dma控制器的刷新ddr的單粒子防護方法和裝置。、ddr存儲器（double?data?rate?sdram，雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器）憑借其高數(shù)據(jù)傳輸率以及較低的功耗開銷，在航天領域獲得了廣泛應用。然而，在空間輻射環(huán)境中，存在著大量高能粒子，這些...

本發(fā)明涉及集成電路，特別是涉及一種基于spi接口的相變存儲器寫入電路及方法。、相變存儲器(phase?change?memory，pcm，pcram)是一種基于硫族化合物材料的新型非易失性存儲技術，利用相變材料可以在非晶態(tài)(材料呈高阻狀態(tài))和多晶態(tài)(材料呈低阻狀態(tài))之間快速可逆地切換這一特...

本公開技術涉及電路測試和診斷。所公開的技術的各種實現(xiàn)方式對于掃描鏈診斷可特別有用。、在硅上構建電路作為測試芯片可以提供對新的制造工藝如何工作的深入了解。傳統(tǒng)上，半導體制造商主要依賴于位圖靜態(tài)隨機存取存儲器(static?random-accessmemory，sram)測試芯片來提升、認證...

本發(fā)明涉及三維集成，尤其涉及一種鍵合結(jié)構以及一種鍵合結(jié)構的控制方法。、三維集成技術可以實現(xiàn)高性能集成互連電路。以三維集成的存儲芯片為例，先采用晶圓工藝分別制造存儲晶圓（如dram或sram）和邏輯晶圓，存儲晶圓包括多個存儲芯片，每個存儲芯片又包括多個存儲單元，邏輯晶圓包括與所述多個存儲單元...

本發(fā)明涉及集成電路，尤其涉及一種應用于sram存儲器的自適應時序控制電路及方法。、sram(靜態(tài)隨機存取存儲器)是一種基于觸發(fā)器結(jié)構、無需刷新即可保持數(shù)據(jù)的存儲器，具有高速讀寫、靜態(tài)存儲等特性，但存在集成度低、功耗較大等局限，廣泛應用于cpu緩存、嵌入式系統(tǒng)等對速度要求高的場景。sram的...

本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)交互，尤其涉及一種數(shù)據(jù)交互存儲平臺及具有該平臺的安全柜。、數(shù)據(jù)交互存儲平臺用于連接不同的數(shù)據(jù)源，實現(xiàn)數(shù)據(jù)的跨平臺、跨網(wǎng)絡、跨語言共享。它通過數(shù)據(jù)抽取、轉(zhuǎn)換和加載等過程，將不同系統(tǒng)、不同格式的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為統(tǒng)一的標準格式，然后傳輸?shù)侥繕宋恢茫瑢崿F(xiàn)數(shù)據(jù)的互通和共享。數(shù)據(jù)交互存儲平臺適...

本申請涉及半導體，尤其涉及一種存儲器和電子設備。、隨著工藝節(jié)點的不斷演進，存儲器的尺寸不斷縮小，以不斷提升存儲器的存儲密度，然而，由于存儲器由存儲單元、其他元件以及路線等組成，例如，動態(tài)隨機存儲器(dynamic?random?access?memory，簡稱：dram)，其存儲陣列的邊緣...

本發(fā)明涉及集成電路領域，尤其涉及一種帶有低壓差線性穩(wěn)壓器過沖下沖抑制電路的存儲器。、ldo(low?dropoutregulator，低壓差線性穩(wěn)壓器)是一種常用的電源管理模塊。ldo可以為存儲器的內(nèi)部電路提供穩(wěn)定的電壓輸出。但是，在ldo的工作過程中，ldo的輸出電壓有時會出現(xiàn)過沖(ov...

本申請涉及半導體，尤其涉及一種磁存儲單元和磁存儲陣列。、基于自旋軌道矩（spin?orbit?torque，sot）效應的磁性隨機存儲器（mram）在存儲密度方面受到限制，因此，與非（not?and，nand）型磁性隨機存儲器的存儲單元具有存儲密度高、功耗低、讀寫速度快等優(yōu)勢，而被廣泛使用...

本申請涉及驅(qū)動電路，尤其涉及一種共享于不同操作模式與不同操作電壓的驅(qū)動電路，以及用于操作驅(qū)動電路的方法。、存儲控制器(memory?controller)與存儲器之間的通信依賴于物理層(physicallayer)電路，以確保穩(wěn)定且高效的數(shù)據(jù)傳輸。為了維持信號完整性并降低抖動與反射，物理層...

實施例涉及集成電路技術，更具體地，涉及一種半導體裝置及其操作方法。、近來，隨著電子設備尺寸減小、具有較低的功耗和較高的性能以及多樣化，多種電子設備(諸如計算機和便攜式通信設備)都需要能夠存儲信息的半導體裝置。半導體裝置基本上可以分為易失性存儲裝置和非易失性存儲裝置。易失性存儲裝置僅在通電的...

、i.、本公開的技術整體涉及集成電路（ic）封裝件，并且更具體地涉及三維（d）ic封裝件中的互連管芯。、ii.、集成電路（ic）為許多類型的電子設備提供功能性，這些電子設備包括被設計成一起工作的多個ic。這些ic可以在基板或電路板的二維（d）表面上彼此水平相鄰地設置，其中水...

本發(fā)明涉及靜態(tài)隨機存儲器，尤其是涉及一種用于顯示驅(qū)動的流式逐行壓控靜態(tài)隨機存儲器。、oled微顯示技術憑借其自發(fā)光特性、亞毫米級像素密度、超寬色域、微秒級響應速度及低功耗等優(yōu)勢，已成為vr/ar等功耗敏感型可穿戴設備的首選顯示方案。然而，在向k/k分辨率、hz以上刷新率演進的過程中，時序控...

本發(fā)明屬于集成電路制造，具體涉及一種存儲器多行之間串擾的測試方法。、隨著電子產(chǎn)品市場的發(fā)展，存儲器在手機、數(shù)碼相機等產(chǎn)品中得到了廣泛應用，市場規(guī)模在不斷的擴大。數(shù)據(jù)串擾是所有非易失性存儲器的主要失效之一。在分柵閃存的實際測試方案中，有行串擾,列串擾,讀串擾等的篩選，但對于多行之間發(fā)生串擾的...

本公開大體上涉及一種存儲器裝置，且更明確地說，涉及一種動態(tài)隨機存取存儲器（dynamic?random-access?memory；dram）裝置。、一般來說，動態(tài)隨機存取存儲器（dram）裝置包括存儲器芯片。所有存儲器芯片需要至少一個參考電壓以確定所接收的信號或所接收的數(shù)據(jù)。應注意，所有...

本申請實施例涉及存儲，特別涉及一種存儲器的操作方法、存儲器、存儲系統(tǒng)及電子系統(tǒng)。、隨著存儲技術的發(fā)展，存儲器的應用越來越廣泛，例如，存儲器可以應用在移動電話、計算機、定位設備、可穿戴設備、智能傳感器等電子設備中。、存儲器包括多個存儲面，存儲器支持多個存儲面的數(shù)據(jù)輸出操作。目前，多個存儲面的...

本公開實施例涉及但不限于半導體領域，尤其涉及一種存儲器、存儲器的編程方法及編程驗證方法、存儲器系統(tǒng)。、快閃存儲器作為例如移動電話、數(shù)字相機等便攜式電子設備的存儲媒介而被廣泛使用?？扉W存儲器通常使用允許高存儲器密度、高可靠性和低功耗的單晶體管存儲器單元。通過對電荷存儲結(jié)構(例如，浮柵或電荷阱...

本公開涉及電阻變化型非易失性存儲裝置以及電阻變化型非易失性存儲元件的驅(qū)動方法，特別涉及能夠抑制保持性(retention)劣化的電阻變化型非易失性存儲裝置等。、以往，提出了提高電阻變化型非易失性存儲裝置(以下也稱為“reram(resistiverandom?access?memory)”...

本技術涉及硬盤，尤其涉及一種可根據(jù)使用狀態(tài)進行散熱的移動固態(tài)硬盤。、隨著信息技術的發(fā)展，移動存儲設備的需求日益增長，移動固態(tài)硬盤因其快速的數(shù)據(jù)讀寫能力、較低的能耗以及輕便的設計成為現(xiàn)代人存儲數(shù)據(jù)的理想選擇，與傳統(tǒng)的機械硬盤不同，移動固態(tài)硬盤主要依靠半導體存儲器進行數(shù)據(jù)保存，不僅提高了數(shù)據(jù)處...