本發(fā)明涉及摩擦發(fā)電材料。具體地說是一種基于摩擦納米發(fā)電機(jī)的復(fù)合型疏水纖維膜及其制備方法。

背景技術(shù)：

1、摩擦納米發(fā)電機(jī)(teng)利用摩擦起電和靜電感應(yīng)的原理，通過接觸帶電和靜電感應(yīng)來產(chǎn)生電流，在一定程度上可以解決難以通過傳統(tǒng)電源供電的所帶來的難題，所以近幾年teng在可穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療監(jiān)測(cè)、海洋能收集等領(lǐng)域展現(xiàn)了很好的應(yīng)用前景。teng的工作原理基于接觸起電和靜電感應(yīng)效應(yīng)，其中摩擦層結(jié)構(gòu)是整個(gè)teng的核心，所以依附在摩擦層上的電介質(zhì)材料在teng中扮演著至關(guān)重要的角色，因?yàn)樗鼈冎苯佑绊懙絫eng的性能，包括電荷的產(chǎn)生、存儲(chǔ)和傳輸。常見的電介質(zhì)材料有聚酰胺、鋁、黃銅、聚氨酯和聚四氟乙烯等。

2、聚偏二氟乙烯(pvdf)相比于其他介電材料它具有高介電常數(shù)、高化學(xué)穩(wěn)定性、易于加工和成型和良好的環(huán)境適應(yīng)性等特性，已被廣泛研究作為teng的基材。pvdf有四個(gè)晶相(α、β、σ和γ)，其中α相為pvdf最常見晶相，β相具有最高的電學(xué)特性。β相晶型通常在特定的加工條件下形成，如低溫溶液結(jié)晶、機(jī)械拉伸、高壓電場(chǎng)極化等。其中較為經(jīng)濟(jì)方便的方法是通過靜電紡絲技術(shù)拉伸聚合物鏈，使其中α相向β相轉(zhuǎn)變結(jié)晶。但pvdf僅通過優(yōu)化溶劑和紡絲參數(shù)的方式結(jié)晶出的β相含量還不足以滿足實(shí)際使用需求，所以為了在靜電紡絲過程中獲得更多的β相，納米填料的引入為改善基于pvdf的teng電性能提供了新的思路。如石墨烯、納米ag、batio3納米顆粒和其他納米填料等，通過將其均勻分散在pvdf溶液中，再利用靜電紡絲技術(shù)制備成薄膜，有效的提高了β相的含量。但納米填料的加入增大了pvdf紡絲溶液的濃度，大量添加后納米填料易形成團(tuán)聚，增大了纖維絲的直徑，降低了β相的結(jié)晶。這就需要找到一種新納米填料，以達(dá)到少量添加就能獲得高含量β相的目的。

3、現(xiàn)有技術(shù)采用電氣石和二氧化硅作為聚偏二氟乙烯的填料并采用靜電紡絲技術(shù)制備摩擦納米發(fā)電機(jī)的摩擦層，能夠?qū)崿F(xiàn)在不發(fā)生填料團(tuán)聚的情況下獲得高含量β相的薄膜，并且該薄膜在高濕度環(huán)境下具有較高輸出電性能和優(yōu)異的機(jī)械性能。但是，電氣石表面極性高，有功能性衰減問題導(dǎo)致電荷不穩(wěn)定，濕度或水接觸可能削弱電氣石的電極效應(yīng)；電氣石親水性強(qiáng)需要依賴表面改性劑降低其表面能。另一方面，二氧化硅顆粒因高比表面積和表面羥基(-oh)的極性，易在pvdf基體中因范德華力或靜電作用形成團(tuán)聚體導(dǎo)致纖維形貌不均勻或局部斷裂。因此，有必要對(duì)此進(jìn)一步改進(jìn)，以使得pvdf纖維膜在高濕環(huán)境下保持良好穩(wěn)定性的前提下，改善其輸出電性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為此，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種基于摩擦納米發(fā)電機(jī)的復(fù)合型疏水纖維膜及其制備方法，以解決現(xiàn)有改性聚偏二氟乙烯纖維膜在用于高濕環(huán)境下摩擦納米發(fā)電機(jī)的摩擦層時(shí)，其輸出電性能不高等技術(shù)問題。

2、為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

3、一種基于摩擦納米發(fā)電機(jī)的復(fù)合型疏水纖維膜，由聚偏二氟乙烯納米纖維膜、方硼石微粒、疏水納米顆粒和聚偏二氟乙烯微球組成；方硼石微粒包埋在聚偏二氟乙烯納米纖維膜的纖維絲中，聚偏二氟乙烯微球附著在聚偏二氟乙烯納米纖維膜的纖維絲上，一部分疏水納米顆粒均勻附著聚偏二氟乙烯微球上，另一部分疏水納米顆粒均勻附著在聚偏二氟乙烯納米纖維膜的纖維絲上；疏水納米顆粒為二氧化鈦納米顆?；蚨趸喖{米顆粒。

4、上述基于摩擦納米發(fā)電機(jī)的復(fù)合型疏水纖維膜，聚偏二氟乙烯納米纖維膜的厚度為80～120μm，聚偏二氟乙烯納米纖維膜的纖維絲的直徑為160～170nm(纖維絲的直徑直接影響復(fù)合型疏水纖維膜的比表面積和孔隙率，本發(fā)明將纖維絲的直徑控制在160～170nm范圍內(nèi)，這種直徑均勻且較細(xì)的纖維絲可以形成較高孔隙的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，在增加復(fù)合膜比表面積的同時(shí)還增加了表面粗糙度，從而有效提升其電荷捕獲能力)；方硼石微粒的粒徑為100～200nm，疏水納米顆粒的粒徑為80～150nm，聚偏二氟乙烯微球的直徑為0.5～5μm，通過控制特定厚度的聚偏二氟乙烯納米纖維膜上方硼石微粒、疏水納米顆粒以及聚偏二氟乙烯微球的顆粒直徑在上述范圍內(nèi)，能夠有效避免聚偏二氟乙烯納米纖維絲之間的粘連，確保聚偏二氟乙烯納米纖維絲維持均勻絲狀結(jié)構(gòu)，并且聚偏二氟乙烯微球能夠有效支撐聚偏二氟乙烯納米纖維絲形成穩(wěn)定的骨架結(jié)構(gòu)，有利于聚偏二氟乙烯納米纖維絲間電荷轉(zhuǎn)移，從而提高復(fù)合型疏水纖維膜的電性能；方硼石微粒的質(zhì)量為聚偏二氟乙烯纖維膜質(zhì)量的0.5～3.0wt％(優(yōu)選1.0～2.5wt％)，疏水納米顆粒的質(zhì)量為聚偏二氟乙烯微球質(zhì)量的0.2～1.0wt％，聚偏二氟乙烯微球?yàn)榫燮蚁├w維膜質(zhì)量的10～20wt％；附著在聚偏二氟乙烯微球上的疏水納米顆粒與附著在聚偏二氟乙烯納米纖維膜的纖維絲上的疏水納米顆粒的質(zhì)量之比為(10～20):1；當(dāng)附著在聚偏二氟乙烯微球上的疏水納米顆粒占比在上述范圍內(nèi)時(shí)，能夠確保聚偏二氟乙烯微球和疏水納米顆粒二者在復(fù)合型疏水纖維膜表面形成具有疏水性能的二級(jí)結(jié)構(gòu)，使得復(fù)合型疏水纖維膜在高濕環(huán)境下維持優(yōu)良的發(fā)電性能；剩下部分疏水納米顆粒附著在纖維絲上，能夠賦予纖維膜表面一定的自清潔功能(二氧化鈦或二氧化鋯的光催化作用，能夠降解潮濕環(huán)境下復(fù)合纖維膜表面吸附的蛋白質(zhì)和氧化物等污染物)，從而有利于進(jìn)一步提高復(fù)合疏水纖維膜在高濕環(huán)境下發(fā)電性能的穩(wěn)定性。

5、一種基于摩擦納米發(fā)電機(jī)的復(fù)合型疏水纖維膜的制備方法，包括如下步驟：

6、步驟(1)、將方硼石粉末超聲分散到n,n-二甲基甲酰胺中，得到方硼石分散液；向方硼石分散液中加入第一聚偏二氟乙烯粉末，加熱攪拌至第一聚偏二氟乙烯完全溶解，得到靜電紡絲液；

7、步驟(2)、將疏水納米顆粒超聲分散到n,n-二甲基甲酰胺中，得到疏水納米顆粒分散液，疏水納米顆粒為二氧化鈦納米顆?；蚨趸喖{米顆粒；向疏水納米顆粒分散液中加入第二聚偏二氟乙烯粉末，加熱攪拌至第二聚偏二氟乙烯完全溶解，得到靜電噴霧液；

8、步驟(3)、將靜電紡絲液和靜電噴霧液置于靜電紡絲設(shè)備中同步進(jìn)行靜電紡絲和靜電噴霧，收集靜電射流產(chǎn)物；

9、步驟(4)、將收集器上收集的靜電射流產(chǎn)物進(jìn)行干燥處理，干燥處理結(jié)束后，得到上述基于摩擦納米發(fā)電機(jī)的復(fù)合型疏水纖維膜。

10、上述基于摩擦納米發(fā)電機(jī)的復(fù)合型疏水纖維膜的制備方法，步驟(1)中，方硼石粉末的粒徑100～200nm，靜電紡絲液中，方硼石粉末的質(zhì)量為第一聚偏二氟乙烯的質(zhì)量的0.5～3.0wt％，超聲分散的條件為：在室溫下以30～60khz頻率超聲分散1.5～3h。如果所用方硼石粉末粒徑過大，會(huì)導(dǎo)致靜電紡絲過程中電場(chǎng)力不足以牽拉纖維絲，并且在紡絲過程中部分方硼石粉末還會(huì)因粒徑過大沉淀在容器底部導(dǎo)致形成的纖維絲中方硼石微粒分布不均；如果靜電紡絲液中方硼石粉末與第一聚偏二氟乙烯的質(zhì)量比過大，會(huì)導(dǎo)致靜電紡絲過程中靜電紡絲液受電場(chǎng)力不均勻而形成形態(tài)各異的纖維絲，或者纖維絲容易發(fā)生粘連；如果靜電紡絲液中方硼石粉末用量過小則會(huì)導(dǎo)致方硼石對(duì)第一聚偏二氟乙烯纖維膜的改良效果不明顯。

11、上述基于摩擦納米發(fā)電機(jī)的復(fù)合型疏水纖維膜的制備方法，步驟(1)中，第一聚偏二氟乙烯粉末的平均相對(duì)分子質(zhì)量為50～60萬，靜電紡絲液中第一偏二氟乙烯的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15～20wt％，加熱攪拌條件為：在65～80℃溫度下，以350～500rpm的攪拌速度攪拌2～5h；采用上述分子量的第一聚偏二氟乙烯粉末并將其質(zhì)量分?jǐn)?shù)控制在15～20wt％內(nèi)，得到的靜電紡絲液粘度適中，有利于靜電紡絲形成粗細(xì)均勻且穩(wěn)定的納米纖維絲。本發(fā)明通過控制靜電紡絲液中方硼石粉末的粒徑及用量、第一聚偏二氟乙烯粉末的相對(duì)分子質(zhì)量及其質(zhì)量分?jǐn)?shù)，能夠使得第一聚偏二氟乙烯溶于n,n-二甲基甲酰胺中而形成粘度適中的靜電紡絲液，且方硼石粉末能夠均勻穩(wěn)定地分布在靜電紡絲液中，不僅有利于紡絲得到粗細(xì)均勻的聚偏二氟乙烯納米纖維絲，而且有利于方硼石粉末在靜電紡絲過程中被均勻地包覆在聚偏二氟乙烯納米纖維絲上，從而有利于其在摩擦發(fā)電過程中有效發(fā)揮提高復(fù)合纖維膜電性的作用。

12、上述基于摩擦納米發(fā)電機(jī)的復(fù)合型疏水纖維膜的制備方法，步驟(2)中，疏水納米顆粒的粒徑為80～150nm，靜電噴霧液中，疏水納米顆粒的質(zhì)量為第二聚偏二氟乙烯質(zhì)量的0.2～1.0wt％；如果疏水納米顆粒的粒徑大于150nm或者其在靜電噴霧液中的用量過多，會(huì)導(dǎo)致疏水納米顆粒難以附著在靜電噴霧形成的聚偏二氟乙烯微球上，或者說疏水納米顆粒在聚偏二氟乙烯納米纖維絲上附著過多，從而引起聚偏二氟乙烯納米纖維絲間的粘連，如果疏水納米顆粒的粒徑小于80nm或者其在靜電噴霧液中的用量過小，則其在聚偏二氟乙烯納米纖維膜上難以形成有效的疏水結(jié)構(gòu))，超聲分散的條件為：在室溫下以40～60khz頻率超聲分散60～90min。

13、上述基于摩擦納米發(fā)電機(jī)的復(fù)合型疏水纖維膜的制備方法，步驟(2)中，第二聚偏二氟乙烯粉末的平均相對(duì)分子質(zhì)量為40～45萬，靜電噴霧液中第二聚偏二氟乙烯的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為4～10wt％，加熱攪拌條件為：在65～80℃溫度下，以350～500rpm的攪拌速度攪拌2～3h。本發(fā)明通過控制靜電噴霧液中疏水納米顆粒的粒徑及其用量、所用第二聚偏二氟乙烯粉末的平均相對(duì)分子質(zhì)量及其質(zhì)量分，能夠使其在本發(fā)明的電場(chǎng)條件下噴霧形成粒徑適中且均勻的聚偏二氟乙烯微球(直徑集中在2～4μm)，并且能夠保證絕大部分疏水納米顆粒都能夠附著在聚偏二氟乙烯微球上。

14、上述基于摩擦納米發(fā)電機(jī)的復(fù)合型疏水纖維膜的制備方法，步驟(3)中，靜電紡絲設(shè)備為能夠?qū)崿F(xiàn)靜電紡絲和靜電噴霧的靜電紡絲機(jī)；同步進(jìn)行靜電紡絲和靜電噴霧時(shí)：高壓靜電場(chǎng)的電壓為18～20kv(若高壓靜電場(chǎng)的電壓過大會(huì)導(dǎo)致因電場(chǎng)力過大而形成的纖維絲形態(tài)不均勻的問題，若高壓靜電場(chǎng)的電壓過小又會(huì)因電場(chǎng)力不足以牽拉纖維絲而導(dǎo)致形成的纖維絲形態(tài)也不均勻)，靜電紡絲液和靜電噴霧液的推進(jìn)速率相同，均為1.0～1.2ml·h-1，注射噴嘴尖端與鋁箔收集器之間的距離為15～18cm(若距離過短會(huì)導(dǎo)致靜電紡絲液和靜電噴霧中的溶劑蒸發(fā)不完全導(dǎo)致纖維絲粘連，如果距離過長(zhǎng)則會(huì)導(dǎo)致纖維絲收集不集中)，溫度控制在30～45℃范圍內(nèi)，相對(duì)濕度控制在40～50％范圍內(nèi)(溫度過低或者濕度過高均會(huì)導(dǎo)致溶劑蒸發(fā)不完全而產(chǎn)生纖維絲粘連的問題，溫度過高或濕度過低則會(huì)導(dǎo)致纖維絲脆硬而影響其機(jī)械性能)；通過控制靜電紡絲液和靜電噴霧液的用量比以使得最終得到的復(fù)合型疏水纖維膜中，聚偏二氟乙烯微球的質(zhì)量為聚偏二氟乙烯纖維膜質(zhì)量的10～20wt％；如果靜電紡絲液用量過大，會(huì)導(dǎo)致疏水納米顆粒和聚偏二氟乙烯微球形成的疏水結(jié)構(gòu)相對(duì)較少而影響復(fù)合型疏水纖維膜的疏水性能，如果靜電噴霧液用量過大，則會(huì)導(dǎo)致聚偏二氟乙烯微球在聚偏二氟乙烯納米纖維絲上分布過密而導(dǎo)致聚偏二氟乙烯納米纖維絲粘連，從而導(dǎo)致制備的復(fù)合型疏水纖維膜電性能下降。

15、本發(fā)明通過控制靜電紡絲液(含特定量100～200nm的方硼石粉末和平均相對(duì)分子質(zhì)量為60萬的第一聚偏二氟乙烯)和靜電噴霧液(含特定量80～150nm的疏水納米顆粒和平均相對(duì)分子質(zhì)量為40萬的第二聚偏二氟乙烯)的用量比、高壓靜電場(chǎng)的電壓、靜電紡絲液和靜電噴霧液的推進(jìn)速率、注射噴嘴尖端與鋁箔收集器之間的距離、靜電紡絲和靜電噴霧過程中的工作溫度和濕度，能夠使得靜電噴霧形成大小均勻的聚偏二氟乙烯微球，靜電紡絲形成粗細(xì)均勻直徑較小的納米纖維絲，并且噴霧形成的聚偏二氟乙烯微球能夠均勻的附著在靜電紡絲形成的聚偏二氟乙烯納米纖維絲上，而靜電噴霧液中特定比例的疏水納米顆粒附著在聚偏二氟乙烯微球上，剩下部分則附著在靜電紡絲形成的聚偏二氟乙烯納米纖維絲上，賦予復(fù)合型疏水纖維膜良好的疏水性能；在本發(fā)明這種工藝條件下，靜電紡絲液中的方硼石微粒能夠均勻地包埋在聚偏二氟乙烯納米纖維膜的纖維絲中(部分直徑較大的方硼石微粒會(huì)從纖維絲中凸出)，有利于其在摩擦發(fā)電過程中充分發(fā)揮提高復(fù)合纖維膜發(fā)電性能的作用；同時(shí)，聚偏二氟乙烯微球作為骨架支撐粗細(xì)均勻且較細(xì)的聚偏二氟乙烯納米纖維絲形成具有較高孔隙率的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，在增加了復(fù)合型疏水纖維膜比表面積的同時(shí)還增加了其表面粗糙度，有利于提升膜的電荷捕獲能力，從而進(jìn)一步提高復(fù)合型疏水纖維膜的發(fā)電性能。

16、上述基于摩擦納米發(fā)電機(jī)的復(fù)合型疏水纖維膜的制備方法，步驟(4)中，干燥處理的條件為：50～60℃，干燥12～16h，干燥時(shí)間過長(zhǎng)或干燥溫度過高均會(huì)導(dǎo)致復(fù)合型疏水纖維膜脆硬機(jī)械性能下降，干燥時(shí)間過短或者干燥溫度過低可能會(huì)導(dǎo)致剩余溶劑附著在纖維膜表面而影響其電性能；干燥處理得到的復(fù)合型疏水纖維膜的厚度為80～120μm，如果復(fù)合型疏水纖維膜低于80μm，則其機(jī)械強(qiáng)度難以滿足實(shí)際應(yīng)用需求，若其厚度大于120μm，則電荷轉(zhuǎn)移難度增加，影響其電性能。本發(fā)明通過控制干燥處理溫度、干燥時(shí)間以及復(fù)合型疏水纖維膜的厚度，能夠保證制備得到的復(fù)合型疏水纖維膜在機(jī)械強(qiáng)度達(dá)到使用需求的前提下，具有較好的電性能。

17、上述基于摩擦納米發(fā)電機(jī)的復(fù)合型疏水纖維膜的制備方法，步驟(1)中，方硼石粉末的粒徑為100～200nm，靜電紡絲液中方硼石粉末的質(zhì)量為第一聚偏二氟乙烯的質(zhì)量的1.5wt％，超聲分散的條件為：在室溫下以40khz頻率超聲分散2h；

18、第一聚偏二氟乙烯粉末的平均相對(duì)分子質(zhì)量為60萬，靜電紡絲液中第一聚偏二氟乙烯的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20wt％，加熱攪拌條件為：在70℃溫度下，以400rpm的攪拌速度攪拌4h；

19、步驟(2)中，疏水納米顆粒的粒徑為80～150nm，靜電噴霧液中，疏水納米顆粒的質(zhì)量為第二聚偏二氟乙烯質(zhì)量的0.6wt％，超聲分散的條件為：在室溫下以40khz頻率超聲分散60min；

20、第二聚偏二氟乙烯粉末的平均相對(duì)分子質(zhì)量為40萬，靜電噴霧液中第二聚偏二氟乙烯的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為8wt％，加熱攪拌條件為：在70℃溫度下，以400rpm的攪拌速度攪拌2h；

21、步驟(3)中，靜電紡絲設(shè)備為能夠?qū)崿F(xiàn)靜電紡絲和靜電噴霧的靜電紡絲機(jī)；同步進(jìn)行靜電紡絲和靜電噴霧時(shí)：靜電紡絲液和靜電噴霧液的體積之比為2:1，高壓靜電場(chǎng)的電壓為20kv，靜電紡絲液和靜電噴霧液的推進(jìn)速率相同，均為1.2ml·h-1，注射噴嘴尖端與鋁箔收集器之間的距離為18cm，溫度為40℃，相對(duì)濕度為40；

22、步驟(4)中，干燥處理的條件為：55℃，干燥12h；干燥處理得到的復(fù)合型疏水纖維膜的厚度為80～90μm。

23、本發(fā)明的技術(shù)方案取得了如下有益的技術(shù)效果：

24、1、本發(fā)明基于摩擦納米發(fā)電機(jī)的復(fù)合型疏水纖維膜的制備方法，通過靜電紡絲和靜電噴霧相結(jié)合的工藝，將具有特定含量100～200nm的方硼石微粒的較高分子量的高濃度pvdf靜電紡絲液與具有特定含量80～150nm的疏水納米顆粒(二氧化鈦或二氧化鋯)的較低分子量的低濃度pvdf靜電噴霧液采用特定的比例同步進(jìn)行靜電紡絲和靜電噴霧，使得在靜電紡絲過程中，100～200nm的方硼石微粒包埋到高濃度較高分子量的pvdf靜電紡絲液形成的纖維絲中，同時(shí)使得低濃度pvdf靜電噴霧液中較低分子量的pvdf形成微米級(jí)pdvf微球附著在高濃度較高分子量的pvdf經(jīng)靜電紡絲液形成的纖維絲上，并且一部分疏水納米顆粒(二氧化鈦或二氧化鋯)附著在微米級(jí)pdvf微球上，另一部分疏水納米顆粒(二氧化鈦或二氧化鋯)附著在高濃度較高分子量的pvdf經(jīng)靜電紡絲液形成的纖維絲上，從而形成具有良好疏水性的復(fù)合型疏水纖維膜，將該復(fù)合型疏水纖維膜用于摩擦納米發(fā)電機(jī)的摩擦層，能夠使其在高濕環(huán)境下保持良好的穩(wěn)定性以及較高的輸出電性能。

25、2、與背景技術(shù)中使用的電氣石相比，方硼石不含毒性元素，更加環(huán)保，方硼石的極性比電氣石更強(qiáng)，將其作為聚偏二氟乙烯的填料能夠顯著提高靜電紡絲液的導(dǎo)電性，從而使得聚偏二氟乙烯通過靜電紡絲得到的纖維絲的形態(tài)更加均勻，靜電紡絲液能夠響應(yīng)更大的電場(chǎng)力，獲得更細(xì)的纖維絲，并且有利于聚偏二氟乙烯在高壓電場(chǎng)作用下重結(jié)晶的進(jìn)行，獲得具有更多β相的聚偏二氟乙烯纖維絲，從而提高復(fù)合疏水纖維膜的電性；本發(fā)明以方硼石作為第一聚偏二氟乙烯的填料，并以二氧化鈦或二氧化鋯作為疏水納米顆粒，其與第二聚偏二氟乙烯靜電噴霧形成疏水納米顆粒+聚偏二氟乙烯微球的疏水結(jié)構(gòu)，其中聚偏二氟乙烯微球能夠吸附電子，從而支撐聚偏二氟乙烯納米纖維絲形成高孔隙率的網(wǎng)格骨架結(jié)構(gòu)(纖維絲越細(xì)，越有利于孔隙率的提高)，孔隙率高有利于其在摩擦發(fā)電過程中吸附更多的電子，從而進(jìn)一步提高復(fù)合疏水纖維膜的電性。本發(fā)明通過控制聚偏二氟乙烯納米纖維膜的纖維絲的直徑、方硼石微粒的直徑、疏水納米顆粒的直徑、聚偏二氟乙烯微球的直徑，復(fù)合型疏水纖維膜中方硼石微粒、疏水納米顆粒、聚偏二氟乙烯微球的量，以及疏水納米顆粒的分布情況，能夠使得復(fù)合型疏水纖維膜具有較好疏水性能，并且能夠使得方硼石和疏水納米顆粒能夠協(xié)同發(fā)揮作用共同改善復(fù)合型疏水纖維膜電性能以及高濕環(huán)境電性能的穩(wěn)定性。