本公開內(nèi)容大體上涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，以及更具體地，涉及具有自對準(zhǔn)的小接觸結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
1、集成電路(ic)在電子設(shè)備中變得越來越普遍。ic可以是以在其上集成有一組電子電路的ic管芯(或ic芯片，或簡稱管芯或芯片)的形式來實(shí)現(xiàn)的。在一些實(shí)現(xiàn)方式中，ic管芯包括半導(dǎo)體襯底、在襯底上的各種電組件(例如，晶體管、電阻器、電容器、和/或電感器)、以及連接所述電組件以形成該組電子電路的各種導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。用于制造電氣組件的制造工藝可以統(tǒng)稱為前段制程(feol)工藝。用于以導(dǎo)線和通孔插塞的層的形式形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的一部分的制造工藝可以統(tǒng)稱為后段制程(beol)工藝。在一些應(yīng)用中，用于形成連接電組件及導(dǎo)電線和通孔插塞的層的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的另一部分(包括，例如接觸插塞或有時(shí)簡稱為接觸體)的工藝可以統(tǒng)稱為中段制程(mol)工藝。
2、隨著制造技術(shù)的發(fā)展，mol接觸體的尺寸隨著組件尺寸的減小而縮小。具有減小的尺寸的mol接觸體可以減小寄生效應(yīng)，諸如接觸體到柵極電容，用于改善的性能，其包括減小的動態(tài)功耗和改善的dou。在一些應(yīng)用中，為了形成較小的接觸體(例如，針對15納米(nm)或更小的臨界尺寸(cd))，通常使用精確的覆蓋和/或高曝光劑量(例如，高劑量的極紫外(euv)光刻)，以便避免接觸體覆蓋未對準(zhǔn)或接觸體到柵極短路，但是以復(fù)雜的工藝、晶片返工和/或降低的晶片生產(chǎn)量為代價(jià)。
3、因此，需要一種用于形成較小接觸體的改進(jìn)的mol工藝，所述較小接觸體可以適當(dāng)?shù)貙?zhǔn)以有效地避免接觸體到柵極短路，而不會顯著增加處理復(fù)雜度和/或降低晶片生產(chǎn)量。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、以下給出了與本文中公開的一個(gè)或多個(gè)方面有關(guān)的簡要概述。因此，不應(yīng)將以下
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
認(rèn)為是與所有預(yù)期的方面有關(guān)的廣泛綜述，也不應(yīng)將以下發(fā)明內(nèi)容認(rèn)為是識別與所有預(yù)期的方面有關(guān)的關(guān)鍵或重要元素或勾畫與任何特定方面相關(guān)聯(lián)的范圍。因此，以下發(fā)明內(nèi)容的唯一目的是在以下給出的具體實(shí)施方式之前以簡要形式給出與涉及本文中公開的機(jī)制的一個(gè)或多個(gè)方面有關(guān)的某些概念。
2、在一方面，一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：柵極結(jié)構(gòu)，其放置在襯底上；柵極間隔體，其與柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁相鄰；源極/漏極結(jié)構(gòu)，其與柵極間隔體相鄰；第一介電層，其放置在襯底和源極/漏極結(jié)構(gòu)上；蝕刻停止間隔體，其在第一介電層上面并且與柵極間隔體相鄰；蝕刻停止層，其在柵極結(jié)構(gòu)的上表面、柵極間隔體的上表面和蝕刻停止間隔體的上表面上面并且鄰接?xùn)艠O結(jié)構(gòu)的上表面、柵極間隔體的上表面和蝕刻停止間隔體的上表面；以及源極/漏極接觸體，其延伸穿過蝕刻停止層和第一介電層并且與源極/漏極結(jié)構(gòu)相接觸，源極/漏極接觸體的側(cè)壁鄰接蝕刻停止層的側(cè)壁和蝕刻停止間隔體的側(cè)壁。
3、在一方面，一種制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法包括：在中間結(jié)構(gòu)中形成開口，其中，中間結(jié)構(gòu)包括：襯底；柵極結(jié)構(gòu)，其放置在襯底上；柵極間隔體，其與柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁相鄰；源極/漏極結(jié)構(gòu)，其與柵極間隔體相鄰；第一介電層，其放置在襯底和源極/漏極結(jié)構(gòu)上；蝕刻停止間隔體，其在第一介電層上面并且與柵極間隔體相鄰；以及蝕刻停止層，其在柵極結(jié)構(gòu)的上表面、柵極間隔體的上表面和蝕刻停止間隔體的上表面上面并且鄰接?xùn)艠O結(jié)構(gòu)的上表面、柵極間隔體的上表面和蝕刻停止間隔體的上表面，其中，開口延伸穿過至少蝕刻停止層和第一介電層，以及暴露源極/漏極結(jié)構(gòu)，并且其中蝕刻停止層的側(cè)壁和蝕刻停止間隔體的側(cè)壁限定開口的側(cè)壁的至少一部分；以及在開口中形成源極/漏極接觸體，源極/漏極接觸體延伸穿過蝕刻停止層和第一介電層并且與源極/漏極結(jié)構(gòu)相接觸，以及源極/漏極接觸體的側(cè)壁鄰接蝕刻停止層的側(cè)壁和蝕刻停止間隔體的側(cè)壁。
4、基于附圖和具體實(shí)施方式，與本文中公開的各方面相關(guān)聯(lián)的其它目的和優(yōu)勢對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將是顯而易見的。
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述蝕刻停止間隔體包括氮化硅、氧化鋁、氮化鋁或其組合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述蝕刻停止間隔體的寬度范圍從1nm到5nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述蝕刻停止間隔體的寬度與所述第二蝕刻停止間隔體的寬度相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括在所述第一介電層上面的第二介電層，所述蝕刻停止層在所述第二介電層的上表面上面并且鄰接所述第二介電層的上表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述第二介電層包括sio2。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括在所述蝕刻停止層上面的第三介電層，其中，所述源極/漏極接觸體延伸穿過所述第三介電層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述源極/漏極接觸體的在所述蝕刻停止間隔體下面的部分的寬度不大于所述源極/漏極接觸體的在所述蝕刻停止間隔體上面的部分的寬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中：
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述柵極間隔體具有不大于sio2的相對介電常數(shù)的相對介電常數(shù)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述第一介電層具有不大于sio2的相對介電常數(shù)的相對介電常數(shù)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述柵極間隔體包括sibcn。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述第一介電層包括sicoh或sio2。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述源極/漏極接觸體包括鈷、鎢或兩者。
16.一種制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括形成所述中間結(jié)構(gòu)，所述中間結(jié)構(gòu)包括：
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述去除是基于化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)工藝來執(zhí)行的。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述形成所述中間結(jié)構(gòu)還包括：
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述形成所述中間結(jié)構(gòu)還包括：
21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述在所述開口中形成所述源極/漏極接觸體包括：
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，所述源極/漏極接觸體的在所述蝕刻停止間隔體下面的部分的寬度不大于所述源極/漏極接觸體的在所述蝕刻停止間隔體上面的部分的寬度。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中：
24.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述蝕刻停止間隔體包括氮化硅、氧化鋁、氮化鋁或其組合。
25.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述蝕刻停止間隔體的寬度范圍從1nm到5nm。
26.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述柵極間隔體具有不大于sio2的相對介電常數(shù)的相對介電常數(shù)。
27.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述第一介電層具有不大于sio2的相對介電常數(shù)的相對介電常數(shù)。
28.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述柵極間隔體包括sibcn。
29.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述第一介電層包括sicoh或sio2。
30.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中：