本公開內容的實施方式涉及半導體處理領域，特別是用于極紫外（euv）抗蝕劑顯影的循序浸潤合成（sis）。
背景技術：
1、幾十年來，半導體產業(yè)一直使用平板印刷術（lithography）在微電子裝置中制作二維和三維圖案。平板印刷術工藝包括自旋沉積膜（光刻膠），用能量源照射膜上的選擇性圖案（曝光），并透過溶解在溶劑中以去除（蝕刻）膜上的曝光（正基調）或非曝光（負基調）區(qū)域。然后進行烘烤以去除剩余的溶劑。
2、光刻膠應為一種對輻射敏感的材料，在照射時，膜的曝光部分會發(fā)生化學變化，從而使曝光區(qū)域和非曝光區(qū)域之間的溶解度發(fā)生變化。利用這種溶解度的變化，光刻膠的曝光區(qū)域或非曝光區(qū)域被去除（蝕刻）。現(xiàn)在光刻膠已經顯影，可以透過蝕刻將圖案轉移到下層薄膜或基板上。轉移圖案后，殘留的光刻膠會被去除，多次重復這一工藝，就可以得到使用在微電子裝置中的二維和三維結構。
3、在平板印刷術工藝中，有幾種特性非常重要。這些重要特性包括靈敏度、分辨率、較低的線邊緣粗糙度（ler）、抗蝕刻以及形成較薄層的能力。靈敏度越高，改變沉積膜溶解度所需的能量就越低。這樣就能提高平板印刷術工藝的效率。分辨率和ler確定了平板印刷術工藝可以實現(xiàn)多窄的特征。圖案轉移需要抗蝕刻程度較高的材料，以形成深層結構。抗蝕刻程度較高的材料還能使膜更薄。更薄的膜可提高平板印刷術工藝的效率。
技術實現(xiàn)思路
1、本文公開的具體實施方式包括一種基板圖案化方法。在一個具體實施方式中，方法包括，在基板上設置光刻膠層，并曝光光刻膠層以在光刻膠層中形成曝光區(qū)域和未曝光區(qū)域。在一個具體實施方式中，該方法進一步包括，用循序浸潤合成（sis）工藝處理曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域以形成處理區(qū)域，并顯影光刻膠層以去除處理區(qū)域的部分或光刻膠層除處理區(qū)域以外的部分。
2、本文公開的實施方式還可以包括一種用光刻膠層處理基板的方法。在一個具體實施方式中，該方法包括用極紫外（euv）輻射曝光光刻膠層以形成曝光區(qū)域和未曝光區(qū)域，其中曝光區(qū)域鄰近并接觸曝光區(qū)域。在一個具體實施方式中，該方法進一步包括用循序浸潤合成（sis）工藝處理光刻膠層以形成處理區(qū)域，其中處理區(qū)域位于曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域中，并顯影光刻膠層以便保持處理區(qū)域。在一個具體實施方式中，該方法進一步包括使用該處理區(qū)域作為掩模蝕刻基板。
3、本文公開的實施方式還可以包括一種用光刻膠層處理基板的方法。在一個具體實施方式中，該方法包括將光刻膠層曝光于極紫外（euv）輻射以形成曝光區(qū)域和未曝光區(qū)域，以及選擇性地在曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域上沉積覆蓋層。在一個具體實施方式中，該方法進一步包括顯影光刻膠層，使封蓋層和曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的下層之一保留，并使用封蓋層和曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的下層之一作為掩模蝕刻基板。
1.一種對基板進行圖案化的方法，所述方法包括：
2.如權利要求1所述的方法，其中所述sis工藝是金屬sis工藝。
3.如權利要求1所述的方法，其中所述sis工藝為非金屬sis工藝。
4.如權利要求1所述的方法，其中所述經處理區(qū)域穿過所述光刻膠層的整個厚度。
5.如權利要求1所述的方法，其中所述經處理區(qū)域部分地穿過所述光刻膠層的厚度。
6.如權利要求4所述的方法，其中顯影所述光刻膠層是采用干式工藝。
7.如權利要求1所述的方法，所述方法進一步包括：
8.如權利要求1所述的方法，其中所述sis工藝和所述顯影是在單個群集工具中完成。
9.如權利要求1所述的方法，其中所述光刻膠層是化學放大抗蝕劑（car）或金屬氧化物抗蝕劑。
10.一種對具有光刻膠層的基板進行圖案化處理的群集工具，所述群集工具包括：
11.如權利要求10所述的群集工具，所述群集工具進一步包括第四腔室，其中在顯影后和/或蝕刻后在所述第四腔室中對所述基板執(zhí)行計量法。
12.如權利要求10所述的群集工具，其中在所述第二腔室中顯影所述光刻膠層是一種熱干式顯影處理。
13.如權利要求10所述的群集工具，其中所述光刻膠層包括化學放大抗蝕劑（car）或金屬氧化物抗蝕劑。
14.一種對具有光刻膠層的基板進行圖案化處理的群集工具，所述群集工具包括：
15.如權利要求14所述的群集工具，所述群集工具進一步包括：
16.如權利要求14所述的群集工具，其中在所述第二腔室中顯影所述光刻膠層是一種熱干式顯影處理。
17.如權利要求14所述的群集工具，其中所述光刻膠層包括化學放大抗蝕劑（car）或金屬氧化物抗蝕劑。
18.如權利要求14所述的群集工具，其中沉積所述覆蓋層是使用原子層沉積、化學氣相沉積或自組裝單層工藝。
19.如權利要求14所述的群集工具，其中所述覆蓋層是由于所述euv曝光產生的官能團變化而選擇性沉積的。
20.如權利要求14所述的群集工具，其中所述第一腔室、所述第二腔室和所述第三腔室透過傳送腔室耦合在一起，且其中所述第一腔室、所述第二腔室和所述第三腔室位于所述群集工具中負載鎖定的同一側。