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新型聚合物及包含該聚合物的陰離子交換膜的制作方法

文檔序號:43008695發(fā)布日期:2025-09-15 12:28閱讀:4來源:國知局

相關(guān)申請的交叉引用本申請要求享有2022年12月16日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請第10-2022-0176765號的優(yōu)先權(quán),該申請的公開內(nèi)容通過引用全部并入本文。本發(fā)明涉及一種新型聚合物以及陰離子交換膜,該陰離子交換膜包含該聚合物而因此具有改善的離子電導(dǎo)率和耐久性。


背景技術(shù):

1、陰離子交換膜是指帶有正電荷離子基團(tuán)的膜,由于同種電荷的排斥力,陽離子難以通過,而選擇性地僅允許陰離子通過。

2、由于采用此類陰離子交換膜的堿性電解池(aec)可以使用鎳、錳等廉價金屬替代貴金屬鉑作為電極催化劑,因此其價格優(yōu)勢可以克服現(xiàn)有市售陽離子交換膜的缺點(例如價格高、燃料滲透等),并廣泛應(yīng)用于燃料電池、水電解池和氧化還原液流電池等電化學(xué)裝置。

3、然而,目前的陰離子交換膜與陽離子交換膜相比離子電導(dǎo)率較低,并且由于堿性條件下的化學(xué)/機械穩(wěn)定性問題而難以實現(xiàn)商業(yè)化。因此,為了開發(fā)aec水電解池以確保其在制氫領(lǐng)域的競爭力,需要一種能夠以比以往更低的成本制造高性能、高耐用性的陰離子交換膜的技術(shù)。

4、因此,需要不斷開發(fā)具有成本競爭力且具有改善的離子電導(dǎo)率和耐久性的陰離子交換膜。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、【技術(shù)問題】

2、本發(fā)明的目的是提供一種新型聚合物、其制備方法、包含該新型聚合物并因此具有改善的離子電導(dǎo)率和耐久性的陰離子交換膜,以及該陰離子交換膜的制備方法。

3、【技術(shù)方案】

4、根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式,提供了一種包含以下化學(xué)式1所示的交聯(lián)結(jié)構(gòu)的聚合物:

5、[化學(xué)式1]

6、

7、其中,在化學(xué)式1中,

8、r1和r2各自獨立地為鹵素或c1-4烷基,

9、a和b各自獨立地為0至3的整數(shù),

10、r3和r4各自獨立地為氫或c1-4烷基,

11、r5為c1-10烷基,

12、r6至r9各自獨立地為c1-4烷基,

13、l為c1-10亞烷基,

14、q為鹵素,

15、n為1至3的整數(shù),

16、x、y和z分別表示聚合物中各重復(fù)單元的摩爾分?jǐn)?shù)。

17、根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式,提供了一種制備包含以下化學(xué)式1所示的交聯(lián)結(jié)構(gòu)的聚合物的方法,該方法包括以下步驟:

18、使第一聚合物與鹵化氫反應(yīng),制備得到第二聚合物,所述第一聚合物為以下化學(xué)式1-1所示的a-b-c三嵌段共聚物,所述第二聚合物為以下化學(xué)式1-2所示的a-b'-c三嵌段共聚物(步驟1);

19、使以下化學(xué)式1-2所示的第二聚合物與以下化學(xué)式1a所示的烯烴反應(yīng),制備得到第三聚合物,該第三聚合物為以下化學(xué)式1-3所示的a-b”-c三嵌段共聚物(步驟2);以及

20、使以下化學(xué)式1-3所示的第三聚合物與以下化學(xué)式1b所示的二胺反應(yīng),制備得到包含化學(xué)式1所示的交聯(lián)結(jié)構(gòu)的聚合物(步驟3):

21、[化學(xué)式1-1]

22、

23、[化學(xué)式1-2]

24、

25、[化學(xué)式1-3]

26、

27、[化學(xué)式1a]

28、

29、[化學(xué)式1b]

30、

31、其中,在化學(xué)式1-1至1-3、1a和1b中,

32、r1至r9、l、q、a、b、n、x、y和z如化學(xué)式1中所定義。

33、根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式,提供了一種包含上述聚合物的陰離子交換膜。

34、根據(jù)本發(fā)明的又一實施方式,提供了一種陰離子交換膜的制造方法,該方法包括以下步驟:

35、使化學(xué)式1-3所示的第三聚合物與化學(xué)式1b所示的二胺在有機溶劑中反應(yīng),制備得到包含化學(xué)式1所示的交聯(lián)結(jié)構(gòu)的聚合物溶液(步驟1);以及

36、將所述聚合物溶液流延到基材上,然后干燥流延膜(步驟2)。

37、有益效果

38、本發(fā)明的新型聚合物不僅通過使用苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯三嵌段共聚物降低了制備工藝的成本,具有合成工藝簡單、工藝成本低的優(yōu)勢,而且可以后續(xù)通過該共聚物的原子轉(zhuǎn)移自由基聚合,延長離子鍵與主鏈之間的距離,從而改善包含該聚合物的陰離子交換膜的離子電導(dǎo)率。此外,通過形成數(shù)十個納米結(jié)構(gòu),實現(xiàn)了精細(xì)的相分離,這有利于離子在納米通道中的移動,并且其機械強度遠(yuǎn)優(yōu)于單一聚合物,從而改善了包含該聚合物的陰離子交換膜的耐久性。



技術(shù)特征:

1.一種包含以下化學(xué)式1所示的交聯(lián)結(jié)構(gòu)的聚合物:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物,其中:

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物,其中:

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物,其中:

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物,其中:

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物,其中:

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物,其中:

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物,其中:

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物,其中:

10.一種制備包含以下化學(xué)式1所示的交聯(lián)結(jié)構(gòu)的聚合物的方法,所述方法包括以下步驟:

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中:

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中:

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中:

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中:

15.一種陰離子交換膜,其包含根據(jù)權(quán)利要求1所述的聚合物。

16.一種陰離子交換膜的制造方法,所述方法包括以下步驟:

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中:

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中:

19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中:

20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中:


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種新型聚合物以及陰離子交換膜,該陰離子交換膜由于包含該新型聚合物而具有改善的離子電導(dǎo)率和改善的耐久性。

技術(shù)研發(fā)人員:柳豆烈,金鍾鶴,田承培,金鎮(zhèn)熙
受保護(hù)的技術(shù)使用者:韓華思路信(株)
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/9/14
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